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Nexperia 推出高性能高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

2019-11-22来源: EEWORLD关键字:Nexperia  GaN  FET

分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。

 

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新疆喜乐彩玩法Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperia硅基氮化镓采用非常可靠耐用的工艺,是质量和可靠性久经考验的成熟技术。再加上其可以使用现有的硅晶圆加工设备,因此晶圆加工产能的可扩展性很强。另外,此器件采用行业标准TO-247 封装,客户可受益于以熟悉的封装来获得卓越的氮化镓性能。

 

Nexperia的MOS业务部总经理Toni Versluijs先生表示:“这是 Nexperia 进入高压领域的战略,现在我们可以交付适合电动汽车应用的功率半导体技术了。我们的氮化镓技术已经可以量产,并能够灵活的扩产。汽车行业是 Nexperia 关注的一个重点,随着电动汽车逐渐取代传统的内燃机汽车,成为个人和公众出行的首选,预计未来二十年,电动汽车销量将迎来大幅增长。”

 

新疆喜乐彩玩法GAN063-650WSA是Nexperia进入电动汽车、通信设备和工业类市场的一系列氮化镓产品中的第一款。

 

Nexperia 简介

 

Nexperia 是分立元件、MOSFET元件、模拟及逻辑集成电路元件领域高产能的生产专家,且其元器件符合汽车工业的严苛标准。Nexperia 非常注重效率,且一直持续生产全球每个电子设计所需要的基本半导体元器件:年产量高达900 亿件。其产品在效率(如工艺,尺寸,功率及性能)方面已成为了行业的基准,且有业内最小尺寸的封装技术以节省功耗及空间。


基于其几十年来的经验,Nexperia 一直为全球各地的大型公司提供优质产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过 11,000 名员工。该公司拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 及 OHSAS 18001 认证。

 


关键字:Nexperia  GaN  FET 编辑:muyan 引用地址:http://news.zjgsmm.com/manufacture/ic480874.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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